另一方面，和几乎没有变化的外观一样，S26 与 S26+ 的硬件基础配置也没有掀起什么波澜——
画面晃得厉害，一会儿是天花板，一会儿是桌角。声音嘈杂，烟花声和说话声混在一起，听不清谁在说什么。屋子百来平方米，客厅里摆了三张圆桌，挤得只剩一条窄窄的过道。灯光亮得发白，照在油光的桌面上。菜已经吃得差不多，盘子叠着盘子，人挨着人坐着，有人端着酒杯站起身敬酒，有人在沙发上玩手机。热闹是真的热闹。
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在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。